介面改造對自旋閥與巨磁阻效應之影響

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Title:	介面改造對自旋閥與巨磁阻效應之影響
Authors:	江文中
Date:	2005
Issue Date:	2009-08-03 11:18:41 (UTC+8)
Abstract:	本計畫旨在研究巨磁阻型態多層膜與相關之交換偏移自旋閥，並於鐵磁性與非磁性層之間置入銀 (Ag) 或Pd 做為介面改造層。我們將探討此類樣品磁電性與結構之相互關係。近十年來研究人員對於鐵磁性/非磁性物質所組成的多層膜之興趣持續加溫，原因是這類材料呈現出許多奇異的特性，具有深厚的應用潛力。研究顯示這些巨磁阻或自旋閥多層膜的磁電性與介面本質之間具有密切關聯。事實上，許多巨磁阻多層膜的樣品基本架構是由 [高表面自由能/低表面自由能] 之材料組合而成，因此容易導致介面粗糙度或合金態的中間層。加入「介面改造層」(surface modifier) 是改變介面品質的一種有效方法。本計畫擬以銀或Pd 等軟物質置入樣品中做為「介面改造層」。這些物質具有較大原子體積，並且在頂層沉積時傾向於浮出底層表面，因此在製作多層膜的過程中有助於形成平整的介面。研究所用的巨磁阻型態多層膜與相關之交換偏移自旋閥將以鈷(Co)/銅(Cu) 為基底，並將以濺鍍的方式製備。我們將於鈷、銀之間加入一薄層銀或Pd (該層厚度將做為一實驗變數)。後續的量測將包括磁阻、磁滯曲線與MOKE 之測量，以及結構量測如X 光繞射 (XRD)、原子力顯微鏡 (AFM)、中子散射等。本計畫之成果將有助於瞭解「介面改造層」在磁電元件以及相關的多層膜系統中原子層級介面控制的應用潛力。
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