線性鉑酸鹽在矽晶表面之成長與接面結構分析

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Title:	線性鉑酸鹽在矽晶表面之成長與接面結構分析
Authors:	蔡啟堂
Keywords:	鉑酸鹽線性導體矽晶接面
Date:	1995
Issue Date:	2009-09-11 13:39:29 (UTC+8)
Abstract:	部分氧化之配位鉑酸鹽為線型結構之等方向性電導體,可用擴散法、氧化法與電解法製備,矽晶為最常用之半導體材料.本計畫建議研究此二種物質接合之可行性.首先了解不同表面處理方法對矽晶表面親水性之影響,藉表面極性之增加而使離子晶體易於沈積生長於矽表面.如此Co/sub 0.83/Pt(C/sub2/O/sub 4/)/Si接合結構將可形成.此部分氧化的雙草酸根鉑酸鹽係由水溶液中原有之CoPt(C/sub 2/O/sub 4/)/sub 2/藉空氣氧化或其它氧化法而產生.其它類型之線型鉑酸鹽之合成及矽晶接面之狀況,將進一步研究.此類鉑酸鹽矽晶之接面可用反射式紅外光譜、X 射線繞射、掃描式電子顯微鏡、二次離子質譜儀、電子光譜、熱重分析等儀器方法來分析.
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