氧化銦錫應用於多孔矽太陽電池製程之研究

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Title:	氧化銦錫應用於多孔矽太陽電池製程之研究
Authors:	陳芝伊
Keywords:	太陽電池擴散氧化銦錫多孔矽反射率
Date:	2008
Issue Date:	2009-08-06 09:46:09 (UTC+8)
Abstract:	本文探討以磷片擴散法製作太陽能電池的製程與其性能分析。研究使P型矽晶圓作為基板，利用磷擴散片在高溫爐作高溫固態擴散製程，做出單晶矽太陽能電池之P-N接面。之後使用濺鍍機濺鍍金屬，形成太陽能電池正極。再利用I-V量測系統對電壓電流曲線進行量測，測出開路電壓及短路電流。本文另外研究N型矽晶片經過陽極電化學蝕刻後，產生的多孔矽結構與各種特性做分析及應用。實驗利用自製的PVC電化學蝕刻槽與白鐵線圈，取代傳統昂貴的鐵氟龍陽極電化學蝕刻槽與白金線，將矽晶片蝕刻成具有非常微小孔洞之多孔矽晶片，並用紫外光燈觀察其光激發光現象，可清楚看見多孔矽晶片光激發光產生明顯的橙紅色光，再使用掃描式顯微鏡(SEM)和反射率去觀察其多孔矽結構。實驗證明多孔矽經電化學蝕刻後所產生，並且由許多結構非常細小之矽柱所構成，如電壓密度、蝕刻溶液濃度及外加照光等，可以改變多孔隙結構及其反射率。此外，我們也發現多孔矽表面若增加一層氧化銦錫薄膜，將會使發光的光譜產生藍移現象。
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